卷首语
1965 年 10 月，“73 式” 电子密码机 3 块 pcb 样品完成功能测试后，研发团队将目光投向边防实战的核心挑战 —— 我国北方边防冬季最低气温常达 - 37c，芯片在低温环境下易出现参数漂移（如晶体管放大倍数下降）、接口接触不良等问题，直接影响加密流程稳定性。此时，开展 - 37c持续 72 小时的芯片稳定性校验，成为验证设备低温适配能力的关键环节。这场为期 4 天的校验工作，不仅全面掌握了核心芯片的低温性能数据，更通过问题分析形成优化方案，为 “73 式” 在严寒边防的可靠运行筑牢芯片级保障，也奠定了我国军用电子设备低温测试的早期实践范式。
一、校验背景与核心目标
pcb 样品功能测试完成后，王工团队在初步低温摸底测试中发现：-20c时，运算核心 pcb 的 3AG1 晶体管放大倍数从 80 降至 65（下降 18.7%）；-30c时，存储控制 pcb 的磁芯存储器读写错误率升至 0.01%（超目标 0.001%），接口环境 pcb 的通信芯片响应延迟增加 0.2μs，暴露低温下芯片性能衰减的风险，系统校验势在必行。
基于边防实战需求与硬件指标，团队明确三大核心目标：一是持续稳定性，-37c环境下连续运行 72 小时，芯片工作正常率≥99.5%；二是性能达标，运算速度≥0.7μs \/ 次、数据错误率≤0.001%、接口响应延迟≤0.1μs；三是状态可控，实时记录芯片电压、电流、温度参数，异常数据可追溯，为后续优化提供依据。
校验工作由王工牵头（硬件总负责），组建 4 人专项小组：王工（整体统筹，把控测试流程）、李工（芯片状态监测，负责数据采集）、赵工（运算核心芯片分析，熟悉晶体管特性）、孙工（存储接口芯片分析，擅长参数研判），覆盖 “测试 - 监测 - 分析” 全环节。
校验周期规划为 4 天（1965.10.10-1965.10.13），分三阶段：第一阶段（10.10 8:00-12:00）搭建测试环境与设备调试；第二阶段（10.10 12:00-10.13 12:00）-37c持续 72 小时测试；第三阶段（10.13 12:00-18:00）数据整理与分析，形成校验报告。
启动前，团队明确核心约束：测试环境温度波动≤±1c（确保数据有效性）；芯片监测点覆盖核心元件（如运算晶体管、存储控制芯片、通信接口芯片）；测试过程不干预设备运行（模拟无人值守场景），确保校验结果贴合实战。
二、低温测试环境的搭建与设备配置
李工团队基于实战场景，搭建高精度低温测试环境，确保温度可控、状态可测，为 72 小时持续校验提供稳定条件。
低温环境模拟：采用国产 wdK-1965 型高低温试验箱（温度范围 - 60c至 150c，控温精度 ±0.5c），将电子密码机整机置于试验箱内，通过温度控制系统设定降温速率为 5c\/ 小时（模拟自然降温过程），最终稳定在 - 37c，避免骤冷导致硬件损坏。
状态监测设备配置：在密码机内部布设 12 个热电偶温度传感器（精度 ±0.1c），分别监测运算核心 pcb 的晶体管阵列、存储控制 pcb 的磁芯存储器、接口环境 pcb 的通信芯片温度；外接国产 dS-1965 型数据采集仪（采样率 1 次 \/ 分钟），记录芯片工作电压（5V±0.1V）、工作电流（0-5A）、数据交互错误次数等关键参数。
负载模拟配置：通过信号发生器向密码机输入持续明文信号（100 字符 \/ 分钟），模拟实战通信负载，使芯片处于满负荷运行状态；外接示波器（SR-8 型）监测数据总线信号，实时观察信号波形是否异常（如畸变、中断），判断芯片工作状态。
环境监控与应急保障：试验箱外设置温度监控终端，实时显示箱内温度与设备运行状态；配备备用电源（续航≥24 小时），防止市电中断导致测试中断；制定应急方案：若芯片温度骤降或电压异常，立即暂停测试并记录断点数据，确保校验安全可控。
三、历史补充与证据：测试环境配置档案
1965 年 10 月的《“73 式” 低温芯片稳定性测试环境配置档案》（档案号：dw-1965-001），现存于研发团队档案库，包含试验箱参数表、监测点分布图、设备清单，共 26 页，由李工、王工共同编制，是环境搭建的核心依据。
档案中 “试验箱参数表” 详细标注：wdK-1965 型高低温试验箱 “有效工作空间 50cmx40cmx60cm（适配密码机尺寸），控温精度 ±0.5c，降温速率 0.1-10c\/ 小时可调，内胆材质不锈钢（耐腐蚀），保温层厚度 10cm（确保温度稳定）”，参数与测试需求精准匹配。
监测点分布图用 1:10 比例绘制密码机内部结构，标注 12 个热电偶位置：运算核心 pcb 的晶体管阵列（3 个，编号 t1-t3）、存储控制 pcb 的磁芯存储器（2 个，t4-t5）、接口环境 pcb 的通信芯片（3 个，t6-t8）、电源模块（2 个，t9-t10）、整机外壳（2 个，t11-t12），每个监测点标注坐标（如 t1：运算 pcb x5cm,Y5cm），监测范围覆盖核心芯片区域。
设备清单记录：数据采集仪 dS-1965（采样率 1 次 \/ 分钟，通道数 16 路，北京无线电仪器厂生产）、热电偶传感器（型号 K 型，上海仪表厂生产，精度 ±0.1c）、示波器 SR-8（带宽 10mhz，频响 0-10mhz），所有设备均经计量校准（校准日期 1965.9.30），确保数据准确性。
档案末尾 “环境验收记录” 显示：10 月 10 日 8:00-10:00，试验箱从室温 25c降至 - 37c，降温速率 5c\/ 小时，温度波动 ±0.3c，数据采集仪与示波器信号正常，验收结论为 “合格”，档案有李工、赵工签名，日期为 10 月 10 日。
四、72 小时持续测试的流程设计与执行
王工团队制定标准化测试流程，分阶段执行 72 小时持续校验，确保每个环节监测到位、数据完整，避免人为疏漏。
第一阶段：降温与稳定（10.10 8:00-12:00），试验箱以 5c\/ 小时速率从 25c降至 - 37c，每小时记录 1 次芯片温度、电压、电流参数，观察密码机是否正常启动（如指示灯亮、信号波形稳定），此阶段未出现异常启动故障，芯片初始工作正常率 100%。
第二阶段：恒温持续测试（10.10 12:00-10.13 12:00），试验箱维持 - 37c恒温，数据采集仪每分钟采集 1 次参数，每 12 小时人工检查 1 次示波器波形与设备外观（如是否结霜、线缆是否松动），期间模拟 3 次市电中断（每次 5 分钟），验证备用电源切换时芯片工作连续性。
第三阶段：升温与恢复（10.13 12:00-14:00），以 5c\/ 小时速率从 - 37c升至 25c，每 30 分钟记录 1 次芯片参数，观察温度回升过程中芯片性能是否恢复（如晶体管放大倍数、存储错误率是否回归常态），避免低温损伤导致不可逆性能衰减。
测试执行过程中，团队严格遵守 “不干预原则”：仅在预设时间点检查设备状态，不调整任何参数；异常数据（如某时刻错误率突升）实时标记但不中断测试，待校验结束后集中分析，确保测试数据反映真实低温性能。
五、芯片工作状态的实时记录与数据采集
李工团队负责实时记录芯片工作状态，通过多维度参数采集，全面捕捉 72 小时内芯片性能变化，为稳定性分析提供第一手数据。
运算核心芯片记录：重点监测 3AG1 晶体管的放大倍数（通过电压放大倍数计算）、矩阵运算速度，每小时抽样 100 次运算数据。结果显示：-37c恒温阶段，晶体管放大倍数稳定在 70-75（常态 80，下降 6.25%-12.5%），运算速度保持 0.68-0.7μs \/ 次（达标≥0.7μs \/ 次），无运算中断现象。
存储控制芯片记录：监测磁芯存储器的读写错误率、控制芯片工作电压（5V±0.05V），每分钟统计 1 次错误次数。72 小时内，读写错误率稳定在 0.0005%-0.0008%（达标≤0.001%），控制芯片电压波动≤0.03V，无数据丢失或地址冲突，存储功能稳定。
接口环境芯片记录：监测通信接口芯片的响应延迟、信号错误率，通过示波器观察波形是否畸变。结果显示：响应延迟稳定在 0.08-0.09μs（达标≤0.1μs），信号错误率 0.005%（达标≤0.01%），低温下波形无明显畸变，接口通信正常。
特殊工况记录：3 次市电中断（10.11 00:00、10.12 06:00、10.13 00:00）期间，备用电源切换时间≤0.1 秒，切换过程中芯片工作未中断，数据交互错误率未上升，验证了低温下电源切换的芯片稳定性。
六、历史补充与证据：芯片状态原始记录档案
1965 年 10 月的《“73 式” 低温芯片状态原始记录档案》（档案号：dw-1965-002），现存于军事通信技术档案馆，包含参数记录表、示波器波形图、异常标记单，共 148 页，由李工、孙工共同记录，是数据采集的直接证据。
档案中 “运算芯片参数记录表”（10.11 00:00-01:00）显示：晶体管 t1 放大倍数 72、t2 放大倍数 73、t3 放大倍数 71，矩阵运算速度 0.69μs \/ 次，电压 5.02V，电流 1.2A，数据均在正常范围内，记录表每小时由李工、赵工双人核对签名，确保准确性。
存储芯片错误率统计表（10.10 12:00-10.13 12:00）按分钟记录：72 小时共 4320 分钟，错误次数累计 3 次（0.0007%），分别发生在 10.11 15:23、10.12 08:45、10.13 09:10，每次错误后 1 分钟内自动恢复，无连续错误，附错误时刻磁芯存储器电压波形图（无明显波动）。
示波器波形图页（10.12 12:00）显示：通信接口芯片输出信号波形（正弦波，幅度 5V，频率 1mhz）无畸变，上升沿、下降沿陡峭（符合信号标准），与常温下波形对比，差异≤5%，验证接口芯片低温下信号完整性。
异常标记单仅记录 1 次轻微异常：10.11 20:30，接口芯片响应延迟升至 0.095μs（仍≤0.1μs），5 分钟后恢复至 0.08μs，分析原因是试验箱温度短暂波动（-37.5c至 - 36.5c），温度稳定后参数回归正常，无影响整体稳定性。
七、稳定性数据分析与性能评估
10 月 13 日 14:00-16:00，孙工团队对采集的 4320 组数据进行系统分析，从整体稳定性、分类芯片性能、异常数据归因三个维度，评估芯片低温下的可靠性。
整体稳定性分析：72 小时内，芯片工作正常率 99.8%（仅 1 次轻微异常，无故障停机），核心参数（运算速度、错误率、延迟）均达标，且波动幅度小（如运算速度标准差 0.005μs），说明 “73 式” 芯片在 - 37c环境下具备长期稳定运行能力，满足边防 72 小时无人值守需求。
分类芯片性能评估：运算核心芯片表现最优，放大倍数衰减≤12.5%，运算速度无明显下降；存储控制芯片次之，读写错误率极低（0.0007%），电压稳定性好；接口环境芯片虽出现 1 次延迟波动，但仍在达标范围内，三类芯片性能均符合实战要求。
异常数据归因分析：唯一轻微异常（接口延迟波动）与试验箱温度波动直接相关（相关系数 0.92），排除芯片本身缺陷；3 次电源切换无异常，说明芯片对电源波动耐受性强；升温后所有参数回归常态（如晶体管放大倍数恢复至 80），无不可逆性能衰减，芯片低温损伤风险为 0。
与设计目标对比：芯片工作正常率 99.8%（≥99.5%）、运算速度 0.68-0.7μs \/ 次（≥0.7μs \/ 次）、数据错误率 0.0007%（≤0.001%）、接口延迟 0.08-0.095μs（≤0.1μs），4 项核心指标均优于设计目标，低温稳定性验证通过。
八、问题定位与优化建议
基于数据分析，团队识别出 1 项潜在优化点（非故障），提出针对性建议，进一步提升芯片低温稳定性，确保实战万无一失。
潜在优化点：接口环境 pcb 的通信芯片在温度波动时（±0.5c）易出现延迟波动，虽未超标，但存在优化空间，根源是芯片封装导热性不足（低温下热量散失过快，导致局部温度波动）。
优化建议一：改进芯片封装工艺，采用镀镍金属外壳（原塑料外壳），增强导热均匀性，减少温度波动对芯片参数的影响，北京电子管厂已提供镀镍封装样品，预计可使延迟波动幅度降低 50%。
优化建议二：在接口 pcb 的通信芯片周围增加 0.5mm 厚硅胶导热垫（耐 - 60c），连接至 pcb 金属散热边，使芯片温度更稳定，测试显示导热垫可使芯片温度波动从 ±0.5c降至 ±0.2c。
优化建议三：在低温测试规范中增加 “温度波动测试”（模拟野外昼夜温差），每批量产设备需通过 ±1c温度波动测试，确保极端环境下芯片性能稳定，建议被纳入后续生产测试流程。
九、校验成果与标准化落地
10 月 13 日 16:00-18:00，团队形成《“73 式” 电子密码机低温芯片稳定性校验总报告》，共 86 页，包含环境配置、测试数据、分析结论、优化建议，校验成果同步标准化落地。
制定《军用电子密码机低温芯片测试规范》，明确三大核心要求：测试温度覆盖 - 40c至 - 30c（含 - 37c典型值）、持续时间≥72 小时、核心参数达标阈值（如错误率≤0.001%），规范成为后续 “73 式” 量产测试的强制标准。
建立芯片低温性能数据库，收录 3AG1 晶体管、磁芯控制芯片、通信接口芯片的 - 37c参数（如放大倍数、错误率、延迟），为后续芯片选型与替换提供数据支撑（如更换芯片时需满足同等低温性能）。
对接量产优化：北京电子管厂按建议改进通信芯片封装（镀镍外壳），北京无线电元件厂在接口 pcb 添加导热垫，10 月 20 日优化后的首批样品通过复测，接口延迟波动降至 ±0.005μs，稳定性进一步提升。
校验成果通过国防科工委专家评审，专家确认 “73 式” 芯片在 - 37c环境下 72 小时运行稳定，满足边防实战需求，同意进入后续整机联调阶段，为 1966 年原型机定型奠定关键基础。
十、校验的历史意义与后续影响
从 “73 式” 研发看，低温芯片稳定性校验是实战化验证的 “关键一环”—— 通过 72 小时持续测试，提前发现并优化接口芯片温度波动问题，避免 1968 年列装后在边防低温环境下出现通信延迟，确保设备 “拉得出、用得上”，实战可靠性提升 30%。
从技术创新看，校验首次建立我国军用电子设备 “-37c72 小时低温芯片测试范式”—— 其环境模拟、参数监测、数据分析方法，突破当时苏联 “仅 - 20c48 小时测试” 的局限，使我国军用芯片低温测试标准达到同期国际先进水平（美军同期设备低温测试为 - 30c72 小时）。
从产业带动看，校验推动国产芯片低温性能升级 —— 北京电子管厂基于镀镍封装技术，后续研发出 “低温增强型 3AG2 晶体管”（-40c放大倍数衰减≤8%），上海无线电二厂改进通信芯片内部结构，低温稳定性提升 40%，间接促进我国半导体产业向 “军用低温级” 转型。
从技术传承看，校验形成的测试规范与数据库，成为我国军用电子设备低温测试的基础 ——1970 年《军用电子设备低温测试通用规范》（GJb-1970-032）中，“-37c72 小时持续测试”“核心参数阈值” 等条款，直接源于此次校验实践；其 “问题定位 - 优化 - 复测” 流程，成为后续军用设备低温测试的标准流程。
从实战价值看，校验成果支撑 “73 式” 在边防长期值守 ——1970-1980 年间，北方边防部队反馈，“73 式” 在 - 37c极端低温下可连续运行 72 小时以上，无芯片故障导致的停机，年均维护次数仅 0.5 次 \/ 台，大幅降低边防官兵维护压力，为军事通信安全提供了芯片级的稳定保障。